| ຕົວແບບ |
DRD-15G-5 |
DRD-15G-12 |
DRD-15G-15 |
DRD-15G-24 |
| ຜົນຜະລິດ |
ແຮງດັນຂາອອກ |
5 ວ |
12 ວ |
15 ວ |
24 ວ |
| ອັນດັບປັດຈຸບັນ |
3 ກ |
1.25 ກ |
1 ກ |
0.63 A |
| ຊ່ວງປັດຈຸບັນ |
0–3 ກ |
0–1.25 A |
0–1 ກ |
0–0.63 A |
| ລະດັບພະລັງງານ |
15 ວ |
15 ວ |
15 ວ |
15 ວ |
| Ripple & Noise (ສູງສຸດ) |
50 mVp-p |
60 mVp-p |
75 mVp-p |
100 mVp-p |
| ຊ່ວງການປັບແຮງດັນ |
4.5–5.5 V |
9–13.2 ວ |
13.5–16.5 V |
21.6–28 V |
| ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງແຮງດັນ |
±2.0% |
±2.0% |
±2.0% |
±2.0% |
| ລະບຽບແຖວ |
±0.5% |
±0.5% |
±0.5% |
±0.5% |
| ລະບຽບການໂຫຼດ |
±1.0% |
±0.5% |
±0.5% |
±0.5% |
| ເວລາເລີ່ມຕົ້ນ |
120 ມລ |
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ |
85 ms (ໂຫຼດເຕັມ) |
| ເວລາຄ້າງ (ປະເພດ) |
G-type:8 ms @ 24 V Input |
| ຄວາມອາດສາມາດພາຍນອກ |
3300 µF |
1200 µF |
1200 µF |
680 µF |
| ປ້ອນຂໍ້ມູນ |
ໄລຍະແຮງດັນຂາເຂົ້າ |
9–36 V DC |
| ປະສິດທິພາບ (ປະເພດ) |
84% |
85% |
85% |
86% |
| ກະແສໄຟຟ້າ DC |
0.8A/24VDC |
| Inrush Current |
15A/24VDC |
| ການປົກປ້ອງ |
ໂຫຼດເກີນ |
ພະລັງງານອັດຕາ 110-150% |
| ໂຫມດ Hiccup, ຟື້ນຕົວອັດຕະໂນມັດຫຼັງຈາກສະພາບຄວາມຜິດຖືກໂຍກຍ້າຍ |
| ແຮງດັນເກີນ |
5.75–7 V |
13.8–16.2 ວ |
17.25–20.25 ວ |
28.8–34 V |
| ປະເພດການປົກປັກຮັກສາ: ປິດແຮງດັນ o/p, re-power on ເພື່ອຟື້ນຕົວ |
| ຂົ້ວໂລກປີ້ນ |
ການຟື້ນຟູອັດຕະໂນມັດໂດຍອີງໃສ່ MOSFET (ບໍ່ມີຄວາມເສຍຫາຍ) |
| ການປິດກັ້ນແຮງດັນໄຟຟ້າ |
24 V input(G type): ເປີດ ≥9 V, ປິດ ≤8.5 V |
| ສະພາບແວດລ້ອມ |
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານ |
-40°C ຫາ +85°C (ໝາຍເຖິງເສັ້ນໂຄ້ງ derating) |
| ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ |
5%–95% RH (ບໍ່ condensing) |
| ການເກັບຮັກສາອຸນຫະພູມ/ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ |
-40°C ຫາ +85°C, 5%–95% RH (ບໍ່ condensing) |
| ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມ |
± 0.03%/°C (0°C–60°C) |
| ຄວາມຕ້ານທານການສັ່ນສະເທືອນ |
10–500 Hz, 2G (ແກນ X/Y/Z, 60 ນາທີ/ຮອບ) |
| ລະດັບຄວາມສູງ |
2000 ມ |
ຄວາມປອດໄພ
&
EMC |
ການປະຕິບັດຕາມຄວາມປອດໄພ |
IEC 62368-1 GB4943.1 |
| ການປ່ອຍອາຍພິດ EMC |
EN55032 (CISPR32) ຊັ້ນ B, EN61000-3-3 |
| ພູມຕ້ານທານ EMC |
EN 61000-4-2, 3, 4, 5, 6, 8 |
| ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ |
I/PO/P:3KVDC |
| ການຕໍ່ຕ້ານການໂດດດ່ຽວ |
I/PO/P>100M Ohms / 500Vdc / 25℃ / 70% RH |
| ອື່ນໆ |
MTBF |
907 k ຊົ່ວໂມງ (ຕໍ່າສຸດ) @ 25°C (MIL-HDBK-217F) |
| ຂະໜາດ |
17.5 × 90 × 54.5 ມມ (W×H×D) |
| ນ້ຳໜັກ |
68g/ອັນ |
| ໝາຍເຫດ |
1. ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະທັງຫມົດແມ່ນວັດແທກພາຍໃຕ້ 24 VDC input, rating load, ແລະ 25°C ອຸນຫະພູມອາກາດລ້ອມຮອບເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້.
2.Ripple/noise measurement method: 12' twisted pair with 0.1 µF + 47 µF capacitors in parallel, 20 MHz bandwidth.
6.Elevated temperature derating ນໍາໃຊ້
ຂ້າງ
ການເຊື່ອມໂຍງອຸປະກອນສຸດທ້າຍ
ເທິງ 2000 m (6500 ft):
|
| ຕົວແບບ |
DRD-15L-5 |
DRD-15L-12 |
DRD-15L-15 |
DRD-24L-24 |
| ຜົນຜະລິດ |
ແຮງດັນຂາອອກ |
5 ວ |
12 ວ |
15 ວ |
24 ວ |
| ອັນດັບປັດຈຸບັນ |
3 ກ |
1.25 ກ |
1 ກ |
0.63 A |
| ຊ່ວງປັດຈຸບັນ |
0–3 ກ |
0–1.25 A |
0–1 ກ |
0–0.63 A |
| ລະດັບພະລັງງານ |
15 ວ |
15 ວ |
15 ວ |
15 ວ |
| Ripple & Noise (ສູງສຸດ) |
50 mVp-p |
60 mVp-p |
75 mVp-p |
100 mVp-p |
| ຊ່ວງການປັບແຮງດັນ |
4.5–5.5 V |
9–13.2 ວ |
13.5–16.5 V |
21.6–28 V |
| ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງແຮງດັນ |
±2.0% |
±2.0% |
±2.0% |
±2.0% |
| ລະບຽບແຖວ |
±0.5% |
±0.5% |
±0.5% |
±0.5% |
| ລະບຽບການໂຫຼດ |
±1.0% |
±0.5% |
±0.5% |
±0.5% |
| ເວລາເລີ່ມຕົ້ນ |
120 ມລ |
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ |
85 ms (ໂຫຼດເຕັມ) |
| ເວລາຄ້າງ (ປະເພດ) |
ປະເພດ L: 16 ms @ 48V Input |
| ຄວາມອາດສາມາດພາຍນອກ |
3300 µF |
1200 µF |
1200 µF |
1000 µF |
| ປ້ອນຂໍ້ມູນ |
ໄລຍະແຮງດັນຂາເຂົ້າ |
18-75 V DC |
| ປະສິດທິພາບ (ປະເພດ) |
85% |
86% |
86% |
87% |
| ກະແສໄຟຟ້າ DC |
0.4A/48VDC |
| Inrush Current |
15A/48VDC |
| ການປົກປ້ອງ |
ໂຫຼດເກີນ |
ພະລັງງານອັດຕາ 110-150% |
| ໂຫມດ Hiccup, ຟື້ນຕົວອັດຕະໂນມັດຫຼັງຈາກສະພາບຄວາມຜິດຖືກໂຍກຍ້າຍ |
| ເກີນແຮງດັນ |
5.75–7 V |
13.8–16.2 ວ |
17.25–20.25 ວ |
28.8–34 V |
| ປະເພດການປົກປັກຮັກສາ: ປິດແຮງດັນ o/p, re-power on ເພື່ອຟື້ນຕົວ |
| ຂົ້ວໂລກປີ້ນ |
ການຟື້ນຟູອັດຕະໂນມັດໂດຍອີງໃສ່ MOSFET (ບໍ່ມີຄວາມເສຍຫາຍ) |
| ການປິດກັ້ນແຮງດັນໄຟຟ້າ |
48 V input(G type): ເປີດ ≥18 V, ປິດ ≤17 V |
| ສະພາບແວດລ້ອມ |
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານ |
-40°C ຫາ +85°C (ໝາຍເຖິງເສັ້ນໂຄ້ງ derating) |
| ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ |
5%–95% RH (ບໍ່ condensing) |
| ການເກັບຮັກສາອຸນຫະພູມ/ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ |
-40°C ຫາ +85°C, 5%–95% RH (ບໍ່ condensing) |
| ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມ |
± 0.03%/°C (0°C–60°C) |
| ຄວາມຕ້ານທານການສັ່ນສະເທືອນ |
10–500 Hz, 2G (ແກນ X/Y/Z, 60 ນາທີ/ຮອບ) |
| ລະດັບຄວາມສູງ |
2000 ມ |
ຄວາມປອດໄພ
&
EMC |
ການປະຕິບັດຕາມຄວາມປອດໄພ |
IEC 62368-1, GB4943.1 |
| ການປ່ອຍອາຍພິດ EMC |
EN55032 (CISPR32) ຊັ້ນ B, EN61000-3-3 |
| ພູມຕ້ານທານ EMC |
EN 61000-4-2, 3, 4, 5, 6, 8 |
| ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ |
I/PO/P: 3KVDC |
| ການຕໍ່ຕ້ານການໂດດດ່ຽວ |
I/PO/P>100M Ohms / 500Vdc / 25℃ / 70% RH |
| ອື່ນໆ |
MTBF |
907 k ຊົ່ວໂມງ (ຕໍ່າສຸດ) @ 25°C (MIL-HDBK-217F) |
| ຂະໜາດ |
17.5 × 90 × 54.5 ມມ (W×H×D) |
| ນ້ຳໜັກ |
68g/ອັນ |
| ໝາຍເຫດ |
1. ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະທັງຫມົດແມ່ນວັດແທກພາຍໃຕ້ 24 VDC input, rating load, ແລະ 25°C ອຸນຫະພູມອາກາດລ້ອມຮອບເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້.
2.Ripple/noise measurement method: 12' twisted pair with 0.1 µF + 47 µF capacitors in parallel, 20 MHz bandwidth.
6.Elevated temperature derating ນໍາໃຊ້
ຂ້າງ
ການເຊື່ອມໂຍງອຸປະກອນສຸດທ້າຍ
ເທິງ 2000 m (6500 ft):
|
